Lors de la récente présentation de l'événement TERAFAB, l'ambition affichée par Elon Musk était extraordinaire : construire 1 TWh de capacité de calcul par an. En collaborant, Tesla, SpaceX et xAI visent à s'accaparer une part substantielle de la production mondiale de silicium.
Les analystes ont rapidement désigné ASML comme le goulot d'étranglement central. L'entreprise néerlandaise détient le monopole des systèmes de lithographie ultraviolet extrême (EUV) nécessaires aux puces de pointe, et son carnet de commandes est plein pour plusieurs années. On ne peut pas simplement commander une flotte de machines EUV à haute ouverture numérique (High-NA) en espérant être livré l'année suivante.
Pour construire ce qui pourrait être la plus grande opération de matériel d'IA au monde sans être pris au piège de ce goulot d'étranglement, le plan combine une alliance nouvellement formée avec Intel, une transition vers le nitrure de gallium (GaN) et une réinvention de l'encapsulation des puces d'IA.
ASML et les puces modernes
ASML constitue le point de blocage déterminant pour la fabrication des semi-conducteurs de pointe. C'est le seul fabricant de machines de lithographie EUV, qui déploient des longueurs d'onde de lumière extrêmement courtes pour graver des circuits complexes sur des galettes de silicium.
Pour construire la logique la plus avancée sur des nœuds denses de 3 nm ou 2 nm, l'EUV est indispensable. Comme ASML est le seul fournisseur et que chaque système nécessite des mois de construction et de calibration, les commandes restent en attente. Pour un programme de l'envergure de TERAFAB, attendre des années pour une flotte d'outils EUV n'est pas une option envisageable.
La voie des chiplets en GaN
Un élément central est le partenariat entre Tesla, SpaceX et Intel. Au moment où cet accord prenait forme, Intel a annoncé une avancée majeure dans l'architecture des chiplets en nitrure de gallium (GaN) — des développements étroitement synchronisés.
Intel Foundry dévoile le chiplet GaN le plus fin au monde (19 μm).
— Intel Foundry (@Intel_Foundry) 8 avril 2026
En intégrant l'alimentation et le contrôle numérique sur un seul chiplet, il offre une meilleure efficacité, une commutation plus rapide et des designs plus compacts.
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La mise à l'échelle logique traditionnelle du silicium dépend d'une miniaturisation incessante vers le 3 nm et le 2 nm, ce qui nécessite l'équipement EUV le plus avancé d'ASML, dont le carnet de commandes est très chargé. Le GaN repose sur une physique différente, tolérant des tensions, des températures et des fréquences nettement plus élevées que le silicium.
Grâce à ces avantages matériels, des chiplets GaN très efficaces peuvent être construits sur des nœuds un peu plus matures en utilisant la lithographie ultraviolet profond (DUV), largement disponible. En privilégiant les architectures GaN, TERAFAB peut éviter la file d'attente pour les machines de pointe d'ASML tout en obtenant des gains majeurs en efficacité énergétique.
Tolérance aux radiations et calcul spatial
Le passage au GaN répond également aux exigences de SpaceX. Le silicium est très sensible aux radiations, raison pour laquelle les réseaux de neurones avancés dans l'espace ont traditionnellement nécessité un blindage encombrant et coûteux.
Le GaN est intrinsèquement tolérant aux radiations. En centrant l'architecture sur des chiplets GaN, TERAFAB crée efficacement du matériel prêt à l'emploi pour l'espace. Cela s'inscrit dans le plan plus large visant à déployer de grands centres de données xAI alimentés à l'énergie solaire en orbite terrestre basse via Starship, permettant une montée en puissance sans surcharger le réseau électrique terrestre.
L'encapsulation avancée plutôt que la réduction de nœud
Une autre stratégie pour contourner le goulot d'étranglement d'ASML consiste à miser sur des « packages complets », ce qui inclut l'intégration de la mémoire NAND directement aux côtés des cœurs de calcul.
Au lieu de tenter de produire une puce monolithique unique et parfaite sur un nœud de 2 nm saturé, TERAFAB utilise une encapsulation 3D avancée. Des chiplets plus petits et spécialisés peuvent être produits sur des nœuds matures, puis interconnectés à l'aide de technologies Intel telles que Foveros ou des substrats en verre.
En consolidant la logique, l'alimentation et la mémoire NAND dans un package étroitement intégré, les vitesses de transfert de données entre les composants augmentent considérablement.
Cette approche permet d'atteindre des performances grâce à l'ingénierie d'encapsulation plutôt que par une réduction supplémentaire de la lithographie.
Force brute et intégration verticale
L'échelle est un levier final. Des entreprises comme Nvidia et Apple rivalisent pour obtenir de la capacité auprès d'ASML car leurs puces doivent tenir dans des baies de serveurs aux limites thermiques strictes ou dans des téléphones dotés de minuscules batteries.
La méthode de Musk est entièrement intégrée verticalement. Tesla et xAI contrôlent la production d'énergie, les systèmes de refroidissement, les baies de serveurs et le compilateur logiciel. Si une puce TERAFAB est un peu plus grande parce qu'elle a été produite sur un nœud mature plutôt que via un processus EUV, cela est acceptable : il suffit de construire une baie plus grande, de l'alimenter avec des Tesla Megapacks et de la refroidir avec des boucles liquides spécialisées.
En combinant les avancées de GaN d'Intel, l'encapsulation 3D avancée et la volonté de répondre aux besoins de calcul avec une infrastructure à grande échelle, ce plan trace une voie vers 1 TWh de capacité de calcul en évitant la liste d'attente d'ASML.
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